Name: DMN3030LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3030LSS-13DITR-ND
Price: 0.82 USD
Availability: InStock

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DMN3030LSS-13
N.º de producto de DigiKey	DMN3030LSS-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN3030LSS-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN3030LSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN3030LSS-13
Descripción	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±25V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 741 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 9A, 10V	Número de producto base DMN3030

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DMN3030LSS-13