Equivalente paramétrico
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DMN3009SFGQ-13 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | DMN3009SFGQ-13-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | DMN3009SFGQ-13 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 |
Plazo estándar del fabricante | 40 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 16H (Ta), 45H (Tc) 900mW (Ta) POWERDI3333-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000 pF @ 15 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 900mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Grado Uso automotriz |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Calificación AEC-Q101 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete del dispositivo del proveedor POWERDI3333-8 |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 5.5mOhm a 20A, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3009SFG-13-ND | $0.31539 | Equivalente paramétrico |
| DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | 2,895 | DMN3009SFG-7DICT-ND | $1.27000 | Equivalente paramétrico |
| DMN3009SFGQ-7 | Diodes Incorporated | 581 | DMN3009SFGQ-7DICT-ND | $1.66000 | Equivalente paramétrico |
| TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2,390 | TPH6R003NLLQCT-ND | $1.83000 | Similar |
| TPN6R303NC,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2,688 | TPN6R303NCLQCT-ND | $1.69000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.45492 | $1,364.76 |




