Name: DMN2022UFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2022UFDF-13-ND
Price: 0.13261 USD
Availability: OutOfStock

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DMN2022UFDF-13
N.º de producto de DigiKey	DMN2022UFDF-13-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN2022UFDF-13
Descripción	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico F)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.9A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	907 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	660mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (típico F)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN
Número de producto base	DMN2022