Name: DMN2009USS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009USS-13TR-ND
Price: 1.06 USD
Availability: InStock

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DMN2009USS-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMN2009USS-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMN2009USS-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMN2009USS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN2009USS-13
Descripción	MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 12.1H (Ta) 1.4W 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±12V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1706 pF @ 10 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.4W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12.1H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8mOhm a 12A, 10V	Número de producto base DMN2009

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Paquete estándar del fabricante

DMN2009USS-13