Name: DMN10H100SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H100SK3-13DITR-ND
Price: 1.37 USD
Availability: InStock

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DMN10H100SK3-13
N.º de producto de DigiKey	DMN10H100SK3-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN10H100SK3-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN10H100SK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN10H100SK3-13
Descripción	MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 18H (Tc) 37W (Tc) TO-252-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25.2 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1172 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 37W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 80mOhm a 3.3A, 10V	Número de producto base DMN10