DMJ70H600HCT Diodes Incorporated | FET simple, MOSFET

DMJ70H600HCT
N.º de producto de DigiKey	31-DMJ70H600HCT-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMJ70H600HCT
Descripción	MOSFET BVDSS: 651V~800V TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 700 V 8.5A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) TO-220AB (típico TH)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 2.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	570 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB (típico TH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	DMJ70

DMJ70H600HCT