Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 1.34 USD
Availability: InStock

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BS107PSTZ
N.º de producto de DigiKey	BS107PSTZDICT-ND - Cinta cortada (CT) BS107PSTZTB-ND - Cinta y caja
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	BS107PSTZ
Descripción	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) E-Line (compatible con TO-92)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta cortada (CT) Cinta y caja
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.6V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30Ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	85 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	E-Line (compatible con TO-92)
Paquete / Caja (carcasa)	E-Line-3
Número de producto base	BS107