Módulos de potencia IGBT VS-ENQ030L120S VS-ETF075Y60U, VS-ETF150Y65U y VS-ETL015Y120H

Los módulos de potencia IGBT de Vishay ofrecen soluciones completas integradas para inversores solares y UPS.

Imagen de los módulos de potencia IGBT de Vishay Semiconductor/Diodes Division Vishay presenta los módulos de potencia IGBT que combinan IGBT de trinchera ultra rápida, las tecnologías de diodo de alta eficiencia HEXFRED® y FRED Pt® y termistores para fácil la administración térmica de paquetes individuales con tecnología press-fit. Los módulos de Vishay Semiconductor ofrecen soluciones completas e integradas para inversores basados en topologías de abrazadera (NPC) de punto neutro, de tres niveles y convertidores elevadores entrelazados, de varios canales, y de máximo punto de potencia (MPPT).

Con su diseño integrado, los dispositivos que hoy se presentan ayuda a los diseñadores a reducir el tiempo de introducción al mercado y a mejorar el rendimiento general del sistema. Para topologías NPC de tres niveles, el VS-ENQ030L120S proporciona una tensión de ruptura de colector-emisor de 1.200 V y una corriente nominal de colector de 30 A. diseñado para las etapas del inversor de tres niveles, el VS-ETF075Y60U y el VS-ETF150Y65U ofrecen a los diseñadores una selección de 75 A y 150 A corrientes nominales de colector de 600 V y voltajes de ruptura de colector-emisor de 650 V, respectivamente y proporciona funcionamiento de alta temperatura a 175° C. Optimizado para convertidores elevadores dobles, el VS-ETL015Y120H de 15 A ofrece voltaje de ruptura de colector a emisor de 1.200 V, diodos elevadores de silicio de alta eficiencia, diodos de derivación integrados de 62 A, y diodos de panel de cortocircuito, de corriente completa, y protección contra polaridad inversa. Todos los dispositivos ofrecen un diseño modular y escalable para aplicaciones de nivel de potencia mayor

Se ofrecen en paquetes EMIPAK-1B (VS-ENQ030L120S) y EMIPAK-2B (VS-ETF075Y60U, VS-ETF150Y65U y VS-ETL015Y120H), la tecnología press-fit sin soldadura de los módulos de potencia permite un fácil montaje en placa de CI, mientras que un sustrato DBC expuesto permite una resistencia técmica baja. Los dispositivos proporcionan baja inductancia interna y bajas pérdidas de conmutación, al tiempo que ofrecen frecuencias de funcionamiento hasta 20 kHz. El diseño optimizado de los módulos ayuda a minimizar los parámetros para el mejor funcionamiento de EMI.

Los dispositivos compatibles con RoHS cuentan con aprobación de UL (archivo E78996) (pendiente de aprobación para la serie VS-ENQ030L120S). Los módulos de potencia de Vishay cumplen con estándares de la industria y las soluciones a medida pueden ser adaptadas para cumplir requisito específico de uso.

Características
  • Baja inductancia interna y bajas pérdidas de conmutación
  • Paquetes EMIPAK para topologías de NPC
  • Inversores de tres niveles
  • Convertidores de múltiple elevación
Aplicaciones
  • Inversores solares monofásicos
  • Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) de rango medio de potencia

IGBT Power Modules

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCorriente - Colector (Ic) (Máx.)Potencia - Máx.Cantidad disponiblePrecioVer detalles
IGBT MODULE 1200V 61A EMIPAK-1BVS-ENQ030L120SIGBT MODULE 1200V 61A EMIPAK-1B61 A216 W0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IGBT MODULE 600V 100A EMIPAK-2BVS-ETF075Y60UIGBT MODULE 600V 100A EMIPAK-2B100 A294 W0 - Inmediata$84.43Ver detalles
IGBT MODULE 650V 142A EMIPAK-2BVS-ETF150Y65UIGBT MODULE 650V 142A EMIPAK-2B142 A417 W0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2BVS-ETL015Y120HIGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B89 W3.03V a 15V, 15A0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
Publicado: 2016-06-29