MOSFET de canal N TSMxxxNB0x 40 V y 60 V

TSC presenta las familias de MOSFET de canal N de 40 V y 60 V que cuentan con una temperatura de unión de 175 °C adecuada para aplicaciones de entornos de alta temperatura. Estos dispositivos ofrecen niveles de tensión umbral de compuerta estándar o lógicos y una amplia gama de niveles de resistencias en estado de fuente de drenaje (R_{DS (ON)}) para diseños flexibles y robustos de conmutación de potencia. Los parámetros de carga de drenaje de puerta/carga de fuente de entrada (Q_gd/Q_gs) y la carga de recuperación inversa (Q_rr) se han optimizado para mejorar la figura de mérito y reducir la EMI, y ofrecen una mayor capacidad de sobrecorriente durante la irrupción y el arranque de la carga en frío. Los MOSFET están empaquetados en un paquete de formato pequeño PDFN56 para mejorar la densidad de potencia en la aplicación.