Name: TSM048NB06LCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM048NB06LCRRLGTR-ND
Price: 2.42 USD
Availability: InStock

TSM048NB06LCR RLG
N.º de producto de DigiKey	TSM048NB06LCRRLGTR-ND - Cinta y rollo (TR) TSM048NB06LCRRLGCT-ND - Cinta cortada (CT) TSM048NB06LCRRLGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza del fabricante	TSM048NB06LCR RLG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 16A (Ta), 107A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) 8-PDFN (5.2x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TSM048NB06LCR RLG Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Ta), 107A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.8mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6253 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PDFN (5.2x5.75)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerLDFN
Número de producto base	TSM048

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.71044	$1,776.10
5,000	$0.68400	$3,420.00

TSM048NB06LCR RLG