Módulos basados en MOSFET SLLIMM™-nano

STMicroelectronics ha ampliado su oferta de módulos de potencia inteligentes con la introducción de los dispositivos basados en MOSFET SLLIMM-nano (cñasificación de corriente de 1 A y 2 A a 25° C con 500 V de tensión de ruptura). MOSFET de baja resistencia encendida (3.6 Ω y 1.7 Ω en variantes de 2 A y 1 A, respectivamente) combinado con bajas pérdidas de conmutación aseguran alta eficiencia global y costos reducidos.

Las aplicaciones de destino de hasta 100 W tales como compresores, bombas, ventiladores y otras unidades de motor de baja potencia trabajan hasta 20 kHz en circuitos de conmutación dura.

Los dispositivos están disponibles en opciones de paquete en línea y conductores zig-zag, dando a los diseñadores mayor flexibilidad para simplificar el diseño y minimizar el tamaño del controlador en conjuntos mecatrónicos y otras aplicaciones con restricciones de espacio.

Características

• Integrar el puente inversor trifásico MOSFET y HVIC controladores de compuerta
• 1 A – 2 A de corriente nominal a 25°C
• MOSFET de baja resistencia encendida (3.6 Ω y 1.7 Ω máx. para variantes de de 2 A y de A 1, respectivamente)
• Temperatura máxima de unión de funcionamiento de 150 ºC