STMicroelectronics

MOSFET MDMesh™ DM2 de 600 V

STMicroelectronics ofrece sus MOSFET MDmesh DM2 de 600 V para aplicaciones industriales.

Los MOSFET de diodo de recuperación rápida y alta eficiencia de Imagen de los MOSFET MDmesh DM2 de 600 V de STMicroelectronicsSTMicroelectronics que incluye una carga de recuperación muy baja (Qrr) y tiempo de recuperación (trr) están optimizados para topologías de puente completo y medio puente de alta tensión que requieren alto rendimiento de conmutación. Estos dispositivos de 600 V disponen de Qg ultra bajo, Coss / Ciss extremadamente bajo, resistencia en estado encendido muy bajo y resistencia dv/dt alta.

Características clave
  • Diodo de cuerpo con recuperación rápida
  • Extremadamente baja de la puerta de carga y la capacitancia de entrada
  • Baja resistencia de "encendido"
  • Recuperación muy baja carga (Qrr) y tiempo de recuperación (trr)
  • Avalancha 100% probada
  • Resistencia dv/dt extremadamente alta
  • Protegidos contra Zener

600 V MDmesh DM2 MOSFETS

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET N-CH 600V 24A TO247STW33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO247508 - Inmediata$6.05Ver detalles
MOSFET N-CH 650V 48A TO247STW56N65DM2MOSFET N-CH 650V 48A TO247917 - Inmediata$12.37Ver detalles
MOSFET N-CH 600V 12A TO220STP18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO220880 - Inmediata$3.34Ver detalles
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKSTB18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK1212 - Inmediata$3.36Ver detalles
MOSFET N-CH 600V 12A TO247STW18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO247482 - Inmediata$3.85Ver detalles
Publicado: 2016-02-24

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Fecha de publicación: 2016-03-09

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