Name: STB18N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16339-2-ND
Price: 3.36 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STB18N60DM2
N.º de producto de DigiKey	497-16339-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-16339-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-16339-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB18N60DM2
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB18N60DM2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	295mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	800 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB18