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Módulos de potencia de medio puente y SiC completo
Los módulos de potencia SiC de ROHM integran MOSFET SiC y SBD en un paquete estándar industrial.
Los módulos de potencia de medio puente Full-SiC de ROHM Semiconductor integran MOSFET SiC y SBD en un paquete industrial estándar. Una estructura de mitigación de campo eléctrico original, junto con un método novedoso de filtrado, se utilizan para mantener la fiabilidad y permitir el desarrollo del primer sistema de producción en masa para módulos de potencia SiC completa.
- Inductancia parásita baja
- Características de recuperación de alta velocidad
- Pérdidas de conmutación bajas
- No es necesario reducir la potencia en comparación con IGBT
- Almacenamiento de energía/energía renovable
- Cargadores e inversores EV/HEV
- Calentamiento por inducción/soldadura
- HVDC
Full-SiC Half-Bridge Power Modules
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Inmediata | $367.77 | Ver detalles |
|  | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - Inmediata | $563.26 | Ver detalles |
|  | BSM300D12P2E001 | MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE | 8 - Inmediata | $710.45 | Ver detalles |
|  | BSM250D17P2E004 | MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE | 7 - Inmediata | $984.00 | Ver detalles |
| | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 0 - Inmediata | $318.74 | Ver detalles |
| | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Inmediata | $446.80 | Ver detalles |
|  | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - Inmediata | $611.68 | Ver detalles |
|  | BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 4 - Inmediata | $955.37 | Ver detalles |
| | BSM600C12P3G201 | SICFET N-CH 1200V 600A MODULE | 0 - Inmediata | $1,200.00 | Ver detalles |
Actualizado: 2019-04-23
Publicado: 2014-05-09
México