Canal N Montaje de chasis 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Módulo
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Canal N Montaje de chasis 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Módulo
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180C12P2E202

N.º de producto de DigiKey
BSM180C12P2E202-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
BSM180C12P2E202
Descripción
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Plazo estándar del fabricante
27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje de chasis 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Módulo
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
BSM180C12P2E202 Modelos
Atributos del producto
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Categoría
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Fabricante
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
20000 pF @ 10 V
Embalaje
Bandeja
Disipación de potencia (Máx.)
1360W (Tc)
Estado de pieza
Activo
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo FET
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Tecnología
Paquete del dispositivo del proveedor
Módulo
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Caja (carcasa)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Número de producto base
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 35.2mA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Disponible para órdenes
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Bandeja
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4$637.86250$2,551.45
Paquete estándar del fabricante
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