BSM180C12P2E202
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BSM180C12P2E202
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180C12P2E202

N.º de producto de DigiKey
BSM180C12P2E202-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
BSM180C12P2E202
Descripción
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Plazo estándar del fabricante
22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje de chasis 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Módulo
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
BSM180C12P2E202 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Bandeja
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
204A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 35.2mA
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
20000 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor
Módulo
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Número de producto base
BSM180
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