Cómo los productos estándar de onsemi suben el nivel de competencia
Los productos estándar de onsemi ofrecen soluciones compactas y de alta eficiencia para los sectores automotrices, industriales y de la electrónica de consumo. La cartera de productos de onsemi combina circuitos integrados con componentes discretos como transistores, diodos, LDO, amplificadores, lógica, EEPROM y dispositivos de protección para ayudar a los ingenieros a simplificar los diseños, mejorar las interfaces y aumentar la fiabilidad.
Con más de 6.000 números de pieza distribuidos en 170+ encapsulados—incluyendo opciones ultra-miniatura e innovaciones pioneras en la industria—onsemi permite un desarrollo más rápido y una adquisición optimizada mediante bloques de construcción interoperables soportados por la plataforma Treo. Se trata de una plataforma tecnológica unificada que integra la detección inteligente y la energía. Esta adaptabilidad servirá a un amplio espectro de industrias y aplicaciones.
- Lógico
- EEPROM
- LDO
- Amplificadores
- Aislamiento
- Transistores
- Protección
- Diodos
Lógico
Cartera: onsemi ocupa el puesto n.º 2 en dispositivos lógicos. Nuestra amplia gama de productos nos posiciona como un proveedor integral que ofrece la mejor calidad en todos los ámbitos.
Rendimiento a alta velocidad: Soporta velocidades de datos de hasta 140 Mbps, lo que permite una transmisión rápida y fiable de datos para aplicaciones exigentes y de alto rendimiento.
Rango de tensión flexible: Al funcionar entre 0,9 V y 18 V, nuestros dispositivos se conectan fácilmente a varios niveles de alimentación, lo que resulta ideal para aplicaciones que abarcan desde el sector de la automoción hasta el industrial.
Integración del sistema: Los traductores de nivel proporcionan una conversión de señal rápida y fiable entre diferentes dominios de tensión, ayudando a mantener la eficiencia y el rendimiento del sistema.
Lógica estándar
- 0,9 V a 18 Vcc
- Minigate / Multigate
Traductor de tensión
- Bi/Uni-direccional
- Autosense
- 1/2/4/8 Canales
Interfaz
- Expansores de E/S I2C
- Traductor I2C/I3C
Interruptores
- Interruptores analógicos
- Conmutadores de bus de alta velocidad
Productos destacados
EEPROM
Retención y fiabilidad de los datos: hasta 4 millones de ciclos de escritura y la retención de datos de 200 años aseguran fiabilidad a largo plazo para el almacenamiento crítico.
Amplio rango de temperaturas: Clasificaciones de grado automotriz (0°C–150°C) e industrial (-40°C–125°C) la hacen ideal para entornos hostiles.
Garantía EEPROM: La retención fiable de datos a largo plazo es clave, especialmente en condiciones extremas en las que la precisión es lo más importante.
Productos estándar de onsemi: Reconocidos por su liderazgo, calidad y capacidad de gran volumen.
Lógica estándar
- 12 VVO
- Eliminar transmisores
Uso automotriz
- Alta temperatura (150 ПC)
- Ciclos AM weRe
Amplia cartera
- 2 kb - 1 mb
- SPI e Interfaz I2C
- Varios paquetes
Productos destacados
LDO
Rendimiento: Capacidades líderes del sector creadas para aplicaciones exigentes.
Fiables y duraderas: Diseñadas para un ciclo de vida prolongado en entornos industriales y automotrices.
Soporte de diseño flexible: Recursos como los diagramas de bloques permiten diseños de sistemas innovadores utilizando soluciones completas de onsemi.
Configuraciones versátiles: Salida ajustable hasta 37 V y múltiples opciones de encapsulado.
Calidad de grado automotriz: Calificación AEC-Q100 con soporte de aplicación dedicado.
Alta temperatura
- Mayor temperatura de funcionamiento de la unión diseñada para estas mayores temperaturas de funcionamiento
- Transistores diseñados específicamente para estas temperaturas de funcionamiento más elevadas
- Tj de funcionamiento = Tj de 150 °C = Ta +25 °C para alta PdTj=Ta + Pd *Rɵja
Bajo VDO e IQ
- Eficiencia mejorada
- Proporciona una menor caída de tensión y una mayor precisión
Bajo VDO e IQ
- Alta temperatura (150 ПC)
- Ciclos AM weRe
Productos destacados
NCP737ADN330R2G
CI de regulador de voltaje lineales Positivo Fijo 1 Salida 350mA 8-SO-EP
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NCV4264-2CST50T3G
CI de regulador de voltaje lineal de 1 salida 450mA fija, positiva SOT-23-5
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NCV47701PDAJR2G
8-MSOP de 150 mA de 1 salida ajustable, positivo, CI del regulador de voltaje lineal
Ver detallesAmplificadores
Amplificadores de detección: Esenciales para soluciones de potencia (SiC, IGBT, MOSFET), con opciones desde propósito general hasta precisión, capaces de soportar de 1 V a 80 V.
Rápido y preciso: Ofrece un rendimiento fiable para la gestión de la energía y la protección contra fallos.
Integridad de la señal: Los amplificadores de precisión mantienen una salida precisa, preservando la calidad de la señal y minimizando la distorsión.
Amplificadores estándar
- Alta ganancia y ancho de banda
- Riel a riel
Precisión
- Baja Vos / Deriva
- Recorte y deriva cero
- Bajo nivel de ruido
Detección de corriente
- Alto voltaje
- Deriva cero
- B/Uni direccional
Bajo consumo y Comp
- Baja inactividad
- Desviación de entrada baja
- Bajo voltaje de compensación
Productos destacados
NCS20162DR2G
Amplificador estándar (de uso general) de 2 circuitos, monopolar, carril a carril 8-SOIC
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NCS21671DM100R2G
Amplificador de detección de corriente 1 circuito carril a carril 10-Micro
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MC33202DR2G
Amplificador estándar (de uso general) de 2 circuitos carril a carril 8-SOIC
Ver detallesAislamiento
Uso de energía: Consume sólo 165 mA por canal a 1 Mbps, ideal para diseños industriales y de automoción de bajo consumo.
Rendimiento: La alta inmunidad a los transitorios en modo común (CMT) garantiza una conmutación rápida y fiable en entornos ruidosos.
Fototransistores
- Cubos CIR estrechos
- TA=125°C Familia
Detección de corriente
- Alto voltaje
- Conductores TRIAC Snubbarlass
Alta velocidad
- Baja inactividad
- Desviación de entrada baja
- Bajo voltaje de compensación
Productos destacados
NCID9211
I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 2 canales de 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7,50 mm de ancho)
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Transistores
Familias de transistores: Los BJT, BRT, JFET y Darlington abarcan desde ~10 V hasta 800 V con opciones de >10 A. Con un VCE(sat) bajo, un hFE alto y una gran tolerancia a ESD, permiten un accionamiento eficiente y una conmutación fiable en sistemas de automoción, industriales y de consumo.
Integración inteligente: Los transistores de resistencias de polarización (combinaciones de 17 resistencias en encapsulados simples/dobles) reducen el espacio de la BOM y la placa. Los JFET de bajo Miller (~10 V - 40 V) estabilizan los amplificadores de RF, y los Darlington NPN/PNP (~30 V - 400 V, Ic ~0,3 A - 50 A, ganancia hasta ~30.000) simplifican el accionamiento, lo que convierte a los BJT en una alternativa rentable a los MOSFET en los puntos de funcionamiento adecuados.
Diseño acelerado: La Plataforma Treo agiliza los ciclos de selección y diseño.
B.JTs
- De 10 V a 20 V
- Encapsulados tan pequeños como 1,0 x 06mm2
- Los dispositivos de audio y alimentación manejan > 10 A
- Dispositivos Sat de bajo VCE disponibles
- Alternativa rentable a los MOSFET
- RDSON Ec ef 30 miliohmios
- Alta tolerancia a la ESD
BRTS
- B.JT con resistencias de polarización integradas
- Esto ahorra espacio en la placa y costos
- 17 combinaciones diferentes de resistencias
- Individuales y duales
- Más de 40 opciones de tamaño disponibles
JFETS
- De 10 V a 20 V
- Encapsulados tan pequeños como 1,0 x 06mm2
- Baja capacitancia Miller
- Dispositivos seleccionados y optimizados para su uso en amplificadores de RF
- Más de 50 dispositivos para elegir
Productos destacados
NST3904MX2T5G
Transistor bipolar (BJT) NPN 40 V 200 mA 250MHz 165 mW Montaje en superficie 3-X2DFN (1x0,6)
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MMBT5551M3T5G
Transistor bipolar (BJT) NPN 160 V 60 mA 265 mW Montaje en superficie SOT-723
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NST1602CLTWG
Transistor bipolar (BJT) NPN 160 V 1,5 A 100MHz 800 mW Montaje en superficie 8-LFPAK
Ver detallesProtección
Protección: los dispositivos de protección de onsemi salvaguardan todas las interfaces con una cobertura de sobretensiones y ESD de bajo pinzamiento (~1 V - 70 V), disponibles en formatos simple, doble y en matriz para líneas de alta velocidad, alimentación, GPIO y batería.
Integridad de la señal y diseño compacto: Algunas piezas ofrecen garantizada la máxima pérdida de inserción para mantener la calidad de la señal, con paquetes ultra-pequeños (~1,0 × 0,6 mm²) ideales para configuraciones densas de automóviles, industriales y de consumo.
Filtrado EMI integrado: Los filtros EMI protegidos por ESD ofrecen una fuerte atenuación en las bandas clave, con opciones de modo común y LC/RC para líneas de extremo simple.
Opciones de limitación de voltaje: Los Zener complementarios (~1,8 V – 200 V, ~0,2 W – 5 W) proporcionan sujeción controlada, todos respaldados por la Plataforma Treo para acelerar el diseño a nivel de sistema.
ESD y protección contra sobretensiones
- La mayor densidad de potencia del sector
- Voltaje de sujeción bajo
- 1 V a 70 V
- Simples, dobles y matrices
- Respuesta optimizada para cada interfaz: Alta velocidad, Línea eléctrica. GPIO, Línea de batería
- Pérdida de inserción máxima garantizada en dispositivos seleccionados
Filtros EMI
- Filtros con protección ESD y contra sobretensiones integrada
- Modo común para líneas diferenciales y LC, RC para líneas de un solo extremo
- Alta atenuación en las bandas de interés
- Excelente voltaje de sujeción
- Individuales y matrices, > 50 dispositivos disponibles
CCR
- Controladores que proporcionan corriente fija a los LED
- Rentable en comparación con los reguladores de conmutación
- No genera EMI/RFI
- Funcionamiento de 45 a 120 V
- Salida fija de 2 terminales, salida config de 3 terminales
Productos destacados
ESDM1051MX4T5G
Abrazadera de 10V 12,5A (8/20μs) Ipp Tvs Montaje Superficial 2-X4DFN (0,45x0,24)
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EMI7112FCTAG
LC (Pi) Filtro EMI paso bajo de 3er orden 2 canales C = 250pF (Total) 350 mA 5-UFBGA, WLCSP
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ESD9R3.3ST5G
Abrazadera de 7,5 V 4A (8/20 μs) Montaje en superficie del diodos TVS Ipp SLP0603P2X3F
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Soluciones de diodos: onsemi ofrece rectificadores Schottky y estándar optimizados para la eficiencia Vf/IF y la baja recuperación, disponibles en formatos simple, doble y puente. La gama incluye una opción compacta de alta corriente (~500 mA / 30 V), pionera en la industria, en un envase de clase 01005.
Control de tensión de precisión: Los Zener complementarios (~1,8 V – 200 V, ~0,2 W – 5 W) permiten un sujeción precisa y referencias de voltaje en un amplio rango de encapsulados, ideales para diseños con espacio limitado.
Desarrollo acelerado: Soportada por la plataforma Treo para agilizar los ciclos de diseño a nivel de sistema.
Diodo Zener
- 1,8 V - 200 V
- 2 W - 5 W
- Gran variedad de encapsulados
- Dispositivos tan pequeños como 0,62 x 0,32mm2
Diodos Schottky y SS
- Las especificaciones optimizadas de V e IR aumentan la eficiencia energética y reducen la huella.
- Bajos tiempos de recuperación
- Configuraciones individuales, dobles y de puente disponibles
- Amplia selección de paquetes
- Primer Schottky de 500 mA y 30 V en 01005 de la industria
RF discretos
- BJT y JET de RF para circuitos amplificadores
- Diodos PIN para atenuadores
- Diodos Schottky para detectores de envolvente
- Interruptores SPDT de 8,5 GHz
- Protección ESD para antenas
Productos destacados
NZD3V9MUT5G
Diodo Zener 3,9 V 200 mW ±5% Montaje en superficie 2-X3DFN (0,6x0,3) (0201)
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NZ8F2V7SMX2WT5G
Diodo Zener 2,7 V 250 mW ±5,93% Montaje en superficie, flanco mojable 2-X2DFNW (1x0,6)
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