Cómo los productos estándar de onsemi suben el nivel de competencia

Los productos estándar de onsemi ofrecen soluciones compactas y de alta eficiencia para los sectores automotrices, industriales y de la electrónica de consumo. La cartera de productos de onsemi combina circuitos integrados con componentes discretos como transistores, diodos, LDO, amplificadores, lógica, EEPROM y dispositivos de protección para ayudar a los ingenieros a simplificar los diseños, mejorar las interfaces y aumentar la fiabilidad.

Con más de 6.000 números de pieza distribuidos en 170+ encapsulados—incluyendo opciones ultra-miniatura e innovaciones pioneras en la industria—onsemi permite un desarrollo más rápido y una adquisición optimizada mediante bloques de construcción interoperables soportados por la plataforma Treo. Se trata de una plataforma tecnológica unificada que integra la detección inteligente y la energía. Esta adaptabilidad servirá a un amplio espectro de industrias y aplicaciones.

  • Lógico
  • EEPROM
  • LDO
  • Amplificadores
  • Aislamiento
  • Transistores
  • Protección
  • Diodos

Lógico

Cartera: onsemi ocupa el puesto n.º 2 en dispositivos lógicos. Nuestra amplia gama de productos nos posiciona como un proveedor integral que ofrece la mejor calidad en todos los ámbitos.

Rendimiento a alta velocidad: Soporta velocidades de datos de hasta 140 Mbps, lo que permite una transmisión rápida y fiable de datos para aplicaciones exigentes y de alto rendimiento.

Rango de tensión flexible: Al funcionar entre 0,9 V y 18 V, nuestros dispositivos se conectan fácilmente a varios niveles de alimentación, lo que resulta ideal para aplicaciones que abarcan desde el sector de la automoción hasta el industrial.

Integración del sistema: Los traductores de nivel proporcionan una conversión de señal rápida y fiable entre diferentes dominios de tensión, ayudando a mantener la eficiencia y el rendimiento del sistema.

Lógica estándar

  • 0,9 V a 18 Vcc​
  • Minigate / Multigate

Traductor de tensión

  • Bi/Uni-direccional
  • Autosense
  • 1/2/4/8 Canales

Interfaz

  • Expansores de E/S I2C
  • Traductor I2C/I3C

Interruptores

  • Interruptores analógicos
  • Conmutadores de bus de alta velocidad
Ver los productos lógicos de onsemi aquí

Productos destacados

NL5X4002DR2G

NL5X4002DR2G

Traductor de nivel de tensión Bidireccional 1 circuito 2 canales 24Mbps 8-SOIC

NL3X5004MU2TAG-Q

NL3X5004MU2TAG-Q

Traductor de nivel de tensión Bidireccional 1 circuito 4 canales 140Mbps 12-UQFN (1,7x2)

NC7WZ14P6X

NC7WZ14P6X

Circuito integrado inversor Disparador Schmitt de 2 canales SC-88 (SC-70-6)

EEPROM

Retención y fiabilidad de los datos: hasta 4 millones de ciclos de escritura y la retención de datos de 200 años aseguran fiabilidad a largo plazo para el almacenamiento crítico.

Amplio rango de temperaturas: Clasificaciones de grado automotriz (0°C–150°C) e industrial (-40°C–125°C) la hacen ideal para entornos hostiles.

Garantía EEPROM: La retención fiable de datos a largo plazo es clave, especialmente en condiciones extremas en las que la precisión es lo más importante.

Productos estándar de onsemi: Reconocidos por su liderazgo, calidad y capacidad de gran volumen.

Lógica estándar

  • 12 VVO
  • Eliminar transmisores

Uso automotriz

  • Alta temperatura (150 ПC)
  • Ciclos AM weRe

Amplia cartera

  • 2 kb - 1 mb
  • SPI e Interfaz I2C
  • Varios paquetes
Ver los productos EEPROM de onsemi aquí

Productos destacados

N24C256X-1CBT5G

N24C256X-1CBT5G

CI de Memoria EEPROM de 32Kbit I2C 1 MHz 400 ns 4-WLCSP (0,77x0,77)

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CAT24C256WI-GT3

CAT24C256WI-GT3

Memoria EEPROM IC 256Kbit I2C 1 MHz 500 ns 8-SOIC

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CAT24C512WI-GT3

CAT24C512WI-GT3

CI de memoria EEPROM de 512Kbit I2C 1 MHz 900 ns 8-SOIC

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LDO

Rendimiento: Capacidades líderes del sector creadas para aplicaciones exigentes.

Fiables y duraderas: Diseñadas para un ciclo de vida prolongado en entornos industriales y automotrices.

Soporte de diseño flexible: Recursos como los diagramas de bloques permiten diseños de sistemas innovadores utilizando soluciones completas de onsemi.

Configuraciones versátiles: Salida ajustable hasta 37 V y múltiples opciones de encapsulado.

Calidad de grado automotriz: Calificación AEC-Q100 con soporte de aplicación dedicado.

Alta temperatura

  • Mayor temperatura de funcionamiento de la unión diseñada para estas mayores temperaturas de funcionamiento
  • Transistores diseñados específicamente para estas temperaturas de funcionamiento más elevadas
  • Tj de funcionamiento = Tj de 150 °C = Ta +25 °C para alta PdTj=Ta + Pd *Rɵja

Bajo VDO e IQ

  • Eficiencia mejorada
  • Proporciona una menor caída de tensión y una mayor precisión

Bajo VDO e IQ

  • Alta temperatura (150 ПC)
  • Ciclos AM weRe
Ver los productos LDO de onsemi aquí

Productos destacados

NCP737ADN330R2G

NCP737ADN330R2G

CI de regulador de voltaje lineales Positivo Fijo 1 Salida 350mA 8-SO-EP

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NCV4264-2CST50T3G

NCV4264-2CST50T3G

CI de regulador de voltaje lineal de 1 salida 450mA fija, positiva SOT-23-5

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NCV47701PDAJR2G

NCV47701PDAJR2G

8-MSOP de 150 mA de 1 salida ajustable, positivo, CI del regulador de voltaje lineal

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Amplificadores

Amplificadores de detección: Esenciales para soluciones de potencia (SiC, IGBT, MOSFET), con opciones desde propósito general hasta precisión, capaces de soportar de 1 V a 80 V.

Rápido y preciso: Ofrece un rendimiento fiable para la gestión de la energía y la protección contra fallos.

Integridad de la señal: Los amplificadores de precisión mantienen una salida precisa, preservando la calidad de la señal y minimizando la distorsión.

Amplificadores estándar

  • Alta ganancia y ancho de banda
  • Riel a riel

Precisión

  • Baja Vos / Deriva
  • Recorte y deriva cero
  • Bajo nivel de ruido

Detección de corriente

  • Alto voltaje
  • Deriva cero
  • B/Uni direccional

Bajo consumo y Comp

  • Baja inactividad
  • Desviación de entrada baja
  • Bajo voltaje de compensación
Vea aquí los productos de amplificación de onsemi

Productos destacados

NCS20162DR2G

NCS20162DR2G

Amplificador estándar (de uso general) de 2 circuitos, monopolar, carril a carril 8-SOIC

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NCS21671DM100R2G

NCS21671DM100R2G

Amplificador de detección de corriente 1 circuito carril a carril 10-Micro

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MC33202DR2G

MC33202DR2G

Amplificador estándar (de uso general) de 2 circuitos carril a carril 8-SOIC

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Aislamiento

Uso de energía: Consume sólo 165 mA por canal a 1 Mbps, ideal para diseños industriales y de automoción de bajo consumo.

Rendimiento: La alta inmunidad a los transitorios en modo común (CMT) garantiza una conmutación rápida y fiable en entornos ruidosos.

Fototransistores

  • Cubos CIR estrechos
  • TA=125°C Familia

Detección de corriente

  • Alto voltaje
  • Conductores TRIAC Snubbarlass

Alta velocidad

  • Baja inactividad
  • Desviación de entrada baja
  • Bajo voltaje de compensación
Vea aquí los productos de aislamiento de onsemi

Productos destacados

NCID9211

NCID9211

I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 2 canales de 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7,50 mm de ancho)

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FOD2741A

FOD2741A

Transistor optoaislador con salida 5000Vrms 1 Canal 8-DIP

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FOD2741ASDV

FOD2741ASDV

Optoacoplador Transistor Salida 5000Vrms 1 Canal 4-SOP

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Transistores

Familias de transistores: Los BJT, BRT, JFET y Darlington abarcan desde ~10 V hasta 800 V con opciones de >10 A. Con un VCE(sat) bajo, un hFE alto y una gran tolerancia a ESD, permiten un accionamiento eficiente y una conmutación fiable en sistemas de automoción, industriales y de consumo.

Integración inteligente: Los transistores de resistencias de polarización (combinaciones de 17 resistencias en encapsulados simples/dobles) reducen el espacio de la BOM y la placa. Los JFET de bajo Miller (~10 V - 40 V) estabilizan los amplificadores de RF, y los Darlington NPN/PNP (~30 V - 400 V, Ic ~0,3 A - 50 A, ganancia hasta ~30.000) simplifican el accionamiento, lo que convierte a los BJT en una alternativa rentable a los MOSFET en los puntos de funcionamiento adecuados.

Diseño acelerado: La Plataforma Treo agiliza los ciclos de selección y diseño.

B.JTs

  • De 10 V a 20 V
  • Encapsulados tan pequeños como 1,0 x 06mm2
  • Los dispositivos de audio y alimentación manejan > 10 A
  • Dispositivos Sat de bajo VCE disponibles
  • Alternativa rentable a los MOSFET
  • RDSON Ec ef 30 miliohmios
  • Alta tolerancia a la ESD

BRTS

  • B.JT con resistencias de polarización integradas
  • Esto ahorra espacio en la placa y costos
  • 17 combinaciones diferentes de resistencias
  • Individuales y duales
  • Más de 40 opciones de tamaño disponibles

JFETS

  • De 10 V a 20 V
  • Encapsulados tan pequeños como 1,0 x 06mm2
  • Baja capacitancia Miller
  • Dispositivos seleccionados y optimizados para su uso en amplificadores de RF
  • Más de 50 dispositivos para elegir
Ver los productos de transistores onsemi aquí

Productos destacados

NST3904MX2T5G

NST3904MX2T5G

Transistor bipolar (BJT) NPN 40 V 200 mA 250MHz 165 mW Montaje en superficie 3-X2DFN (1x0,6)

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MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G

Transistor bipolar (BJT) NPN 160 V 60 mA 265 mW Montaje en superficie SOT-723

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NST1602CLTWG

NST1602CLTWG

Transistor bipolar (BJT) NPN 160 V 1,5 A 100MHz 800 mW Montaje en superficie 8-LFPAK

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Protección

Protección: los dispositivos de protección de onsemi salvaguardan todas las interfaces con una cobertura de sobretensiones y ESD de bajo pinzamiento (~1 V - 70 V), disponibles en formatos simple, doble y en matriz para líneas de alta velocidad, alimentación, GPIO y batería.

Integridad de la señal y diseño compacto: Algunas piezas ofrecen garantizada la máxima pérdida de inserción para mantener la calidad de la señal, con paquetes ultra-pequeños (~1,0 × 0,6 mm²) ideales para configuraciones densas de automóviles, industriales y de consumo.

Filtrado EMI integrado: Los filtros EMI protegidos por ESD ofrecen una fuerte atenuación en las bandas clave, con opciones de modo común y LC/RC para líneas de extremo simple.

Opciones de limitación de voltaje: Los Zener complementarios (~1,8 V – 200 V, ~0,2 W – 5 W) proporcionan sujeción controlada, todos respaldados por la Plataforma Treo para acelerar el diseño a nivel de sistema.

ESD y protección contra sobretensiones

  • La mayor densidad de potencia del sector
  • Voltaje de sujeción bajo
  • 1 V a 70 V
  • Simples, dobles y matrices
  • Respuesta optimizada para cada interfaz: Alta velocidad, Línea eléctrica. GPIO, Línea de batería
  • Pérdida de inserción máxima garantizada en dispositivos seleccionados

Filtros EMI

  • Filtros con protección ESD y contra sobretensiones integrada
  • Modo común para líneas diferenciales y LC, RC para líneas de un solo extremo
  • Alta atenuación en las bandas de interés
  • Excelente voltaje de sujeción
  • Individuales y matrices, > 50 dispositivos disponibles

CCR

  • Controladores que proporcionan corriente fija a los LED
  • Rentable en comparación con los reguladores de conmutación
  • No genera EMI/RFI
  • Funcionamiento de 45 a 120 V
  • Salida fija de 2 terminales, salida config de 3 terminales
Ver los productos EEPROM de onsemi aquí

Productos destacados

ESDM1051MX4T5G

ESDM1051MX4T5G

Abrazadera de 10V 12,5A (8/20μs) Ipp Tvs Montaje Superficial 2-X4DFN (0,45x0,24)

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EMI7112FCTAG

EMI7112FCTAG

LC (Pi) Filtro EMI paso bajo de 3er orden 2 canales C = 250pF (Total) 350 mA 5-UFBGA, WLCSP

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ESD9R3.3ST5G

ESD9R3.3ST5G

Abrazadera de 7,5 V 4A  (8/20 μs) Montaje en superficie del diodos TVS Ipp SLP0603P2X3F

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Diodos

Soluciones de diodos: onsemi ofrece rectificadores Schottky y estándar optimizados para la eficiencia Vf/IF y la baja recuperación, disponibles en formatos simple, doble y puente. La gama incluye una opción compacta de alta corriente (~500 mA / 30 V), pionera en la industria, en un envase de clase 01005.

Control de tensión de precisión: Los Zener complementarios (~1,8 V – 200 V, ~0,2 W – 5 W) permiten un sujeción precisa y referencias de voltaje en un amplio rango de encapsulados, ideales para diseños con espacio limitado.

Desarrollo acelerado: Soportada por la plataforma Treo para agilizar los ciclos de diseño a nivel de sistema.

Diodo Zener

  • 1,8 V - 200 V
  • 2 W - 5 W
  • Gran variedad de encapsulados
  • Dispositivos tan pequeños como 0,62 x 0,32mm2

Diodos Schottky y SS

  • Las especificaciones optimizadas de V e IR aumentan la eficiencia energética y reducen la huella.
  • Bajos tiempos de recuperación
  • Configuraciones individuales, dobles y de puente disponibles
  • Amplia selección de paquetes
  • Primer Schottky de 500 mA y 30 V en 01005 de la industria

RF discretos

  • BJT y JET de RF para circuitos amplificadores
  • Diodos PIN para atenuadores
  • Diodos Schottky para detectores de envolvente
  • Interruptores SPDT de 8,5 GHz
  • Protección ESD para antenas
Ver los productos de diodos onsemi aquí

Productos destacados

NZD3V9MUT5G

NZD3V9MUT5G

Diodo Zener 3,9 V 200 mW ±5% Montaje en superficie 2-X3DFN (0,6x0,3) (0201)

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NZ8F2V7SMX2WT5G

NZ8F2V7SMX2WT5G

Diodo Zener 2,7 V 250 mW ±5,93% Montaje en superficie, flanco mojable 2-X2DFNW (1x0,6)

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MM3Z2V7T1G

MM3Z2V7T1G

Diodo Zener 2,7 V 300 mW ±7% Montaje en superficie SOD-323

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