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Componentes DRAM DDR3/DDR3L
Los productos DRAM integrados de Kingston Technologies están disponibles en 2 Gb, 4 Gb y 8 Gb.
La memoria DRAM integrada de Kingston Technologies está diseñada para satisfacer las necesidades de las aplicaciones integradas y ofrece una opción de bajo voltaje para un menor consumo de energía. Las memorias DDR3/DDR3L de Kingston Technologies se ofrecen tanto en c-Temp (+0 ºC a +95 ºC) como en i-Temp (-40 ºC a +95 ºC). Están disponibles en 2 Gb, 4 Gb y 8 Gb.
Los componentes DRAM DDR3L se presentaron por primera vez en 2007 y siguen siendo un componente básico en las aplicaciones industriales. La DDR3L de Kingston permite un mayor ancho de banda o picos de velocidad de datos y ofrece características como auto-refresh y self-refresh. Los componentes DDR3L de Kingston se ofrecen en FBGA de 78 bolas en configuraciones x8 y FBGA de 96 bolas en configuraciones x16. Todos los componentes Kingston DDR3L están disponibles en paquetes libres de Pb (cumplen con RoHS) y libres de halógenos.
- Arquitectura de velocidad de datos doble: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
- La transferencia de datos a alta velocidad se realiza mediante la arquitectura de canalización de 8 bits
- El estroboscopio de datos diferencial bidireccional (DQS y /DQS) se transmite/recibe con los datos para captarlos en el receptor
- DOS está alineado con el borde de los datos para READS; alineado con el centro de los datos para WRITES entradas de reloj diferencial (CK y /CK)
- DLL alinea las transiciones DQ y DQS con las transiciones CK
- Comandos introducidos en cada flanco positivo de CK; datos y máscara de datos referenciados a ambos flancos de DQS
- Máscara de datos (DM) para datos de escritura
- Posted/CAS por latencia aditiva programable para una mayor eficacia del bus de comandos y datos
- Terminación en el molde (ODD para mejorar la calidad de la señal)
- ODT síncrono
- CDT dinámico
- ODT asíncrono
- Registro multiuso (MPR) para la lectura de patrones predefinidos
- Calibración ZQ para accionamiento DO y ODT
- Self-refresh parcial de matriz programable (PASR)
- Pin RESET para secuencia de encendido y función de reinicio
- Rango de SRT: normal/ampliado
- Control programable de la impedancia del controlador de salida
- Robótica/IoT industrial
- Automatización de fábrica
- Módulos de comunicación de redes/telecomunicaciones 5G
- Enrutadores de Wi-Fi
- Dispositivos de malla
- Dispositivos de vestir
- Relojes inteligentes
- Monitores sanitarios
- AR y VR
- Hogares inteligentes
- Barras de sonido
- Termostatos
- Equipos de acondicionamiento físico
- Aspiradoras
- Camas
- Grifos
- Ciudades inteligentes
- HVAC
- Iluminación
- Control y medición de la electricidad
- Parquímetros
DDR3 and DDR3L DRAMs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | D1216ECMDXGJDI-U | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | 103 - Inmediata | $4.54 | Ver detalles |
| | D2516ECMDXGJDI-U | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | 1587 - Inmediata | $7.50 | Ver detalles |
| | D2516ECMDXGJD-U | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | 1021 - Inmediata | $6.21 | Ver detalles |
| | D1216ECMDXGJD-U | IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA | 0 - Inmediata | $4.43 | Ver detalles |
|  | 08EP08-N3GTC32-GA67 | IC FLASH RAM 8GB EMMC 136FBGA | 13 - Inmediata | $35.12 | Ver detalles |
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