MOSFET de SiC IXSJxxN120R1

La serie IXSJxxN120R1 de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de IXYS/Littelfuse ofrece un rendimiento excepcional para sistemas de conversión de potencia de alta tensión y alta eficiencia. Con un voltaje de bloqueo de hasta 1200 V y una baja resistencia en estado encendido típica de solo 18 mΩ, estos dispositivos están optimizados para aplicaciones que requieren conmutación rápida, bajas pérdidas de conducción y un rendimiento térmico superior. Los dispositivos cuentan con una carga de compuerta y una capacitancia de entrada bajas, lo que permite reducir la potencia del accionamiento de compuerta y minimizar las pérdidas de conmutación. Son ideales para su uso en infraestructura de carga de vehículos eléctricos (EV), inversores solares y fuentes de alimentación de alta frecuencia.

Empaquetados en un formato aislado TO-247-3L, los MOSFET IXSJxxN120R1 ofrecen una gestión térmica y un aislamiento eléctrico mejorados, lo que permite un funcionamiento robusto en entornos hostiles. Su amplio rango de voltaje de puerta y sus características de baja EMI los convierten en una opción versátil para los diseñadores que buscan mejorar la eficiencia y confiabilidad del sistema. Ya sea que se utilicen en accionamientos de motor, cargadores de baterías o sistemas de alimentación ininterrumpida, estos MOSFET de SiC brindan el rendimiento y la durabilidad necesarios para la electrónica de potencia de próxima generación.