Name: IXSJ25N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ25N120R1-ND
Price: 13.58 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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IXSJ25N120R1
N.º de producto de DigiKey	238-IXSJ25N120R1-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXSJ25N120R1
Descripción	1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 28A (Tc) 75.3W (Tc) ISO247-3L
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	28A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	81mOhm a 12A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.8V a 5.3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	52 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+21V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1435 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	75.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	ISO247-3L
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$13.58000	$13.58
30	$8.24900	$247.47
120	$7.08058	$849.67
510	$6.86251	$3,499.88

Paquete estándar del fabricante

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