MOSFET de 1000 V de potencia HiPerFET™ de clase X con ultraunión

La línea de productos de semiconductores de potencia MOSFET de potencia HiPerFET de 1000 V con ultraunión clase X de IXYS, ahora parte de Littelfuse, están optimizados para aplicaciones de conversión de energía de conmutación suave. Ofrecen resistencias y cargas de puerta tan bajas como 66 milliohmios y 113 nanoculombios, respectivamente.

Desarrollados utilizando el principio de compensación de carga y la tecnología de proceso patentada, los dispositivos de 1000 V exhiben resistencias de estado ultrabajo, junto con cargas de compuerta bajas y un rendimiento dv/dt superior. Su capacidad de avalancha aumenta su robustez, previniendo la falla del dispositivo inducida por transitorios de voltaje y la activación accidental de transistores bipolares parásitos. Además, gracias al diodo de cuerpo rápido, estos MOSFET de ultraunión ayudan a aumentar la eficiencia. Cada MOSFET puede reemplazar varios dispositivos de mayor resistencia de conexión en paralelo, simplificando el diseño, mejorando la confiabilidad y ahorrando costos al mismo tiempo.

Las aplicaciones más adecuadas incluyen aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia como las fuentes de alimentación de modo resonante, los motores de CA y CC, los convertidores CC-CC, robótica y servo controles, los medidores inteligentes, los inversores de energía renovable, los inversores de soldadura y los cargadores de batería.

Los MOSFET de potencia de 1000 V Clase X con diodos de cuerpo HiPerFET están disponibles en paquetes de tamaño estándar internacional de TO-247, PLUS247, TO-268HV, SOT-227, TO-264 y PLUS264. Los números de pieza incluyen IXFH26N100X, IXFT32N100X, IXFK52N100X y IXFN74N100X con clasificaciones actuales de 26 A, 32 A, 52 A y 74 A, respectivamente.