Canal N Montaje de chasis 1000 V 44A (Tc) 830W (Tc) SOT-227B
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IXFN52N100X

N.º de producto de DigiKey
IXFN52N100X-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFN52N100X
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
Plazo estándar del fabricante
27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje de chasis 1000 V 44A (Tc) 830W (Tc) SOT-227B
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
44A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
125 mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
6V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
6725 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN52
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Tubo
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10$38.89000$388.90
100$36.85040$3,685.04
Paquete estándar del fabricante
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