FET eGaN® Gen 5

La presentación de Gen 5 de EPC es un salto cuántico en un universo nuevo de rendimiento. Esta tecnología de última generación reduce el tamaño del FET eGaN Gen 4 a la mitad, pero triplica su rendimiento. Esta reducción de costos y mejora en el rendimiento crean un "círculo virtuoso" que está ampliando la brecha de rendimiento y costo entre los FET eGaN y CI y el MOSFET de potencia envejecido.

Características

• Pequeña huella: Grandes ganancias en rendimiento
  • A 100 V, los FET eGaN cuatriplican la ventaja en R_DS(ON) x área de matriz en comparación con los MOSFET de silicio.
  • A 200 V, esta ventaja salta a una ventaja 16 veces mayor.
• Mejor figura de mérito (FOM)
  • La última generación de FET eGaN cuatriplica la ventaja sobre el silicio a 100 V y logra una ventaja 8 veces mayor a 200 V para un mejor rendimiento de conmutación en aplicaciones de conversión de energía de alta frecuencia.
• Beneficio de la aplicación desde las ganancias de rendimiento
  • En un caso de ejemplo, si se usan 100 V en EPC2045, se logra una reducción del 30 por ciento en pérdida de energía con una eficiencia mejor de 2.5 puntos en comparación con el logrado por el mejor MOSFET comparable en un circuito de 48 V a 5 V que opera a una frecuencia de conmutación de 500 kHz.