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Transistor de energía EPC2051 100 V eGaN®
EPC2051 de EPC es 30 veces más pequeño que el silicio comparable y es capaz de 97% de eficiencia a 500 kHz
El transistor de potencia EPC2051 100 V eGaN de 
EPC tiene un RDS(encendido) máximo de 25 mΩ y una corriente de salida impulsada de 37 A para una alta eficiencia de conversión de energía en un pequeño espacio de 1.1 mm2.
A pesar de la pequeña huella, el EPC2051 logra un 97% de eficiencia en una salida de 4 A mientras conmuta a 500 kHz mientras opera en un convertidor de 50 V a 12 V buck. Además, el bajo costo del EPC2051 trae el rendimiento de GaN FET a un precio comparable al de los MOSFET de silicio. Las aplicaciones que se benefician de este rendimiento, tamaño pequeño y bajo costo incluyen convertidores de potencia de entrada de 48 V para sistemas informáticos y de telecomunicaciones, LiDAR, iluminación LED y audio de Clase-D.
| Características | Aplicaciones | |
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EPC2051 100 V eGaN® Power Transistor
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2051 | GANFET N-CH 100V 1.7A DIE | 59018 - Inmediata | $1.86 | Ver detalles |
Evaluation Board
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EPC9091 | EVAL BOARD FOR EPC2051 | 11 - Inmediata | $197.67 | Ver detalles |
Publicado: 2018-09-07
México