EPC

FET de GaN en paquetes PQFN

Los FET de GaN EPC ofrecen un rendimiento excepcional en un tamaño compacto ideal para la conversión de potencia de alta densidad.

Imagen de los FET de GaN EPC en paquetes PQFNLos FET de nitruro de galio (GaN) en paquetes PQFN de EPC ofrecen un rendimiento excepcional en espacios compactos, ideales para la conversión de energía de alta densidad. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de encendido ultrabaja, una carga de puerta baja y pérdidas de conmutación mínimas, lo que permite una mayor eficiencia y velocidades de conmutación más rápidas que los MOSFET de silicio tradicionales.

Con valores nominales de voltaje de hasta 200 V y capacidades de corriente pulsada que superan los 400 A en algunas piezas, estos FET de GaN son perfectos para aplicaciones exigentes como accionamientos de motores, robótica y computación de alto rendimiento.

Características
  • Rentable
  • Mayor rendimiento que un MOSFET
    • Más rápido
    • Más pequeño
    • Corriente más alta
  • Fáciles de usar
    • La compatibilidad del espacio maximiza la flexibilidad del diseño
  • Excelente térmico
    • Parte superior expuesta
    • Resistencia térmica ultrabaja
Aplicaciones
  • Cargadores de CA/CC
  • Convertidores de CC/CC de alta frecuencia
  • Accionamientos de motor
  • MPPT solar
  • Audio clase D

GaN FETs in PQFN Packages

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónTipo FETTecnologíaVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Cantidad disponiblePrecioVer detalles
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Evaluation Boards

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Publicado: 2025-04-10

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