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Transistor de potencia eGaN® en modo de mejora de 100 V EPC2367

El transistor de potencia de eGaN en modo de mejora EPC2367 de 100 V, 101 A de EPC soporta el funcionamiento de alta corriente con disipación eficiente del calor

Imagen del transistor de potencia eGaN® en modo de mejora de 100 V EPC2367El transistor de potencia eGaN EPC2367 en modo de mejora de 100 V de EPC está optimizado para una eficiencia y densidad de potencia ultra elevadas en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia. Con una resistencia de activación ultrabaja, una recuperación inversa nula y un paquete compacto a escala de chip, el EPC2367 permite diseños de potencia más pequeños, rápidos y eficientes en comparación con los MOSFET de silicio.

Características
  • Transistor de potencia GaN de alto voltaje: FET eGaN en modo de mejora de 100 V que soporta funcionamiento en alta frecuencia y respuesta rápida a transitorios
  • RDS(on) ultrabaja: 1.2 mΩ típica en VGS = 5 V, lo que minimiza las pérdidas por conducción
  • Cero recuperación inversa: elimina las pérdidas por recuperación inversa para mayor eficiencia
  • Carga de compuerta ultrabaja: permite conmutación rápida y reducción de pérdidas por conmutación
  • Paquete compacto de escala de chip: 3.3 mm × 3.3 mm de espacio para diseños de alta densidad con espacio limitado
  • Excelente rendimiento térmico: soporta el funcionamiento a alta corriente con una disipación eficaz del calor
Aplicaciones
  • Convertidores de CC/CC de alta frecuencia
  • Módulos de CC/CC de alta densidad de potencia
  • Accionamientos de motor
  • Rectificación sincrónica

EPC2367 100 V Enhancement-Mode eGaN® Power Transistor

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TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI		EPC2367TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI18894 - Inmediata$6.89Ver detalles
Publicado: 2026-01-19

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