MOSFET y diodos de carburo de silicio (SiC)

Los materiales WBG de Diodes Incorporated ofrecen ventajas sobre el silicio por muchas razones, como permitir que el SiC soporte tensiones hasta cinco veces (3 kV) superiores a las del silicio con un voltaje disruptivo (BV) más alto. Además, el SiC puede conmutar hasta 10 veces más rápido que el silicio, con lo que las pérdidas por conmutación son mínimas. Una conductividad térmica tres veces mejor también implica una mejor disipación de potencia y disipadores más pequeños. En consecuencia, el SiC es más adecuado que el GaN para aplicaciones de alta potencia debido a su mejor conductividad térmica y densidad de empaquetamiento.

MOSFET de SiC

Elegir MOSFET de SiC en lugar de MOSFET de silicio tiene muchas ventajas, como una mayor frecuencia de conmutación y un menor tamaño de componentes como inductores, condensadores, filtros y transformadores.

Los MOSFET SiC de 1200 V están diseñados para aplicaciones de potencia de conmutación de alta tensión que exigen la máxima eficiencia y un diseño compacto. Ofrecen alta corriente de salida, baja resistencia en estado encendido y encapsulados TO263-7, TO247 y TO247-4 estándar, perfectos para accionamientos de motores, convertidores de CC/CC, inversores solares y aplicaciones de cargadores de baterías de vehículos eléctricos.

Diodos de SiC

Los diodos SiC schottky de Diodes van de 650 V a 1200 V. Están disponibles en una amplia variedad de encapsulados, desde TO220 aislado, TO220 estándar y TO252, que ofrecen una gran flexibilidad a los diseñadores que buscan eficiencia, robustez y rapidez de comercialización. Los diodos de SiC de 650 V y 1200 V para aplicaciones automotrices cuentan con la certificación AEC-Q101.