Transistores NPN y PNP DFN0606

Al ocupar un espacio en la placa de tan solo 0.36 mm², los transistores DFN0606 de Diodes son 40% más pequeños que las piezas DFN1006 (SOT883) de competencia directa y ofrece el mismo rendimiento eléctrico o mejor. Con una altura fuera de placa de sólo 0.4 mm, son ideales para la tecnología portátil, tales como relojes inteligentes, salud y aparatos de fitness, así como otros productos de consumo con un espacio limitado como teléfonos inteligentes y tabletas.

Las ofertas de transistores bipolares iniciales DFN0606 de Diodes son dos dispositivos NPN y PNP que administran un rendimiento de disipación de potencia máximo de 830 mW. MMBT3904FZ y MMBT3906FZ con un régimen nominal de 40 V aumentan significativamente la densidad de energía y también proporcionan una corriente de colector alta de 200 mA mientras que BC847BFZ y BC857BFZ con un régimen nominal de 45 V proporcionan una corriente de colector de 100 mA. Encienden todos los dispositivos a una tensión del emisor de base de menos de 1 V, permitiéndoles estar completamente encendidos en condiciones de potencia portátil muy baja.

Características

• Huella de 0.36 mm² y altura fuera de la placa de 0.4 mm: el factor de forma pequeño permite a los diseñadores reducir el área de la placa CI y ofrece un mejor rendimiento que los transistores equivalentes en paquetes mucho más grandes.
• Densidad de energía más alta: el paquete sin plomo DFN0606 es térmicamente eficiente con una resistencia térmica de 135 °C/W única que permite alcanzar una mayor densidad de energía.
• El encendido VBE < 1 V – BJT permite a las aplicaciones de bajo voltaje cambiar en menos de 1 V permitiendo a las aplicaciones portátiles que se enciendan completamente en condiciones de baja potencia.