Name: XP8NA2R2CXT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP8NA2R2CXTTR-ND
Price: 2.74 USD
Availability: InStock

XP8NA2R2CXT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP8NA2R2CXTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP8NA2R2CXTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP8NA2R2CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP8NA2R2CXT
Descripción	MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113.6W (Tc) PMPAK® 5 x 6
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP8NA2R2C
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Ta), 168A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.2mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	179 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9328 pF @ 60 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 113.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PMPAK® 5 x 6
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerLDFN

XP8NA2R2CXT