XP83T03GJB YAGEO XSEMI | Productos de semiconductores discretos

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XP83T03GJB
N.º de producto de DigiKey	5048-XP83T03GJB-ND
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP83T03GJB
Descripción	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 30 V 75A (Tc) 60W (Tc) TO-251S
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP83T03
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	34 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1840 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-251S
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
Número de producto base	XP83