Name: XP6NA1R4CXT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP6NA1R4CXTTR-ND
Price: 3.12 USD
Availability: InStock

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XP6NA1R4CXT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP6NA1R4CXTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP6NA1R4CXTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP6NA1R4CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP6NA1R4CXT
Descripción	FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 44.6H (Ta), 100H (Tc) 5W (Ta), 113.6W (Tc) PMPAK® 5 x 6
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.45mOhm a 20A, 10V
Fabricante YAGEO XSEMI	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Serie XP6NA1R4C	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 195 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11520 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 44.6H (Ta), 100H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PMPAK® 5 x 6
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerLDFN