XP4509AGM YAGEO XSEMI | Productos de semiconductores discretos

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YAGEO XSEMI

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XP4509AGM
N.º de producto de DigiKey	5048-XP4509AGMTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP4509AGMCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP4509AGMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP4509AGM
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 11.2A (Ta), 8A (Ta) 2W (Ta) Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP4509A
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.2A (Ta), 8A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10mOhm a 10A, 10V, 21mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19.2nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1140pF a 25V, 2000pF a 25V
Potencia - Máx.	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO