XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Productos de semiconductores discretos

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YAGEO XSEMI

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XP3R303GMT-L
N.º de producto de DigiKey	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP3R303GMT-L
Descripción	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) PMPAK® 5 x 6
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP3R303
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	31A (Ta), 105A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.3mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2240 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PMPAK® 5 x 6
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerLDFN