Name: XP3N9R5AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N9R5AMTTR-ND
Price: 0.79 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

XP3N9R5AMT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP3N9R5AMTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP3N9R5AMTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP3N9R5AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP3N9R5AMT
Descripción	MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 18A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 22.7W (Tc) PMPAK® 5 x 6
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP3N9R5A
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Ta), 38.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1280 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 22.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PMPAK® 5 x 6
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerLDFN