Name: XP3N9R5AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N9R5AMTTR-ND
Price: 0.58 USD
Availability: InStock

XP3N9R5AMT
N.º de producto de DigiKey	5048-XP3N9R5AMTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP3N9R5AMTCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP3N9R5AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP3N9R5AMT
Descripción	MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 18A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 22.7W (Tc) 8-PMPAK (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP3N9R5A
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Ta), 38.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.5mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1280 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Ta), 22.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PMPAK (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerLDFN

XP3N9R5AMT