XP2322GN YAGEO XSEMI | Productos de semiconductores discretos

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XP2322GN
N.º de producto de DigiKey	5048-XP2322GNTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP2322GNCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP2322GNDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP2322GN
Descripción	MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 2.5A (Ta) 833mW (Ta) SOT-23
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP2322
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	90mOhm a 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	560 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	833mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3