XP2318GEN YAGEO XSEMI | Productos de semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

XP2318GEN
N.º de producto de DigiKey	5048-XP2318GENTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP2318GENCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP2318GENDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP2318GEN
Descripción	MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 500mA (Ta) 700mW (Ta) SOT-23
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	YAGEO XSEMI
Serie	XP2318
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	500mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.5Ohm a 500mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id	1.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	48 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3