Name: XP10TN135H
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10TN135HTR-ND
Price: 0.65 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

XP10TN135H
N.º de producto de DigiKey	5048-XP10TN135HTR-ND - Cinta y rollo (TR) 5048-XP10TN135HCT-ND - Cinta cortada (CT) 5048-XP10TN135HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	YAGEO XSEMI
Número de pieza del fabricante	XP10TN135H
Descripción	MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 8.1H (Tc) 2W (Ta), 20.8W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 135mOhm a 5A, 10V
Fabricante YAGEO XSEMI	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Serie XP10TN135	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17.6 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 928 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 20.8W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.1H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

Informar Error en la información del producto

Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

En stock: 1,000

Comprobar si hay stock entrante adicional

Cantidad

Todos los precios se expresan en USD

Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

XP10TN135H