Name: SUP60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60030E-GE3-ND
Price: 4.04 USD
Availability: InStock

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SUP60030E-GE3
N.º de producto de DigiKey	SUP60030E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUP60030E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SUP60030E-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.4mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7910 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	SUP60030