Canal N Orificio pasante 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB
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SUP60030E-GE3

N.º de producto de DigiKey
SUP60030E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SUP60030E-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SUP60030E-GE3 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.4mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
7910 pF @ 40 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
SUP60030
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100$2.21260$221.26
500$1.82694$913.47
1,000$1.70307$1,703.07
2,000$1.68875$3,377.50
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