Name: SUD19N20-90-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD19N20-90-E3TR-ND
Price: 4 USD
Availability: InStock

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SUD19N20-90-E3
N.º de producto de DigiKey	SUD19N20-90-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SUD19N20-90-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SUD19N20-90-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD19N20-90-E3
Descripción	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SUD19N20-90-E3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 51 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 136W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 19A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base SUD19
Rds On (máx) @ Id, Vgs 90mOhm a 5A, 10V