Name: SQS460EN-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS460EN-T1_GE3TR-ND
Price: 1.96 USD
Availability: InStock

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SQS460EN-T1_GE3
cms-digikey-product-number	SQS460EN-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQS460EN-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQS460EN-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQS460EN-T1_GE3
cms-description	MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
cms-standard-lead-time	20 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N Montaje en superficie 60 V 8H (Tc) 39W (Tc) PowerPAK® 1212-8
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SQS460EN-T1_GE3 Modelos

cms-product-attributes

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cms-category Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 755 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 39W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 36mOhm a 5.3A, 10V	Número de producto base SQS460
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA