Name: SQM120N10-3M8_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
Price: 5.12 USD
Availability: InStock

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SQM120N10-3M8_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQM120N10-3M8_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQM120N10-3M8_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQM120N10-3M8_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQM120N10-3M8_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQM120N10-3M8_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 190 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7230 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 120A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.8mOhm a 20A, 10V	Número de producto base SQM120
Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA