
SQJ912DEP-T1_GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJ912DEP-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 37 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 40V 30H (Tc) 27W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJ912DEP-T1_GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC a 10V |
Serie | Potencia - Máx. 27W (Tc) |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30H (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.3mOhm a 7A, 10V | Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.69000 | $1.69 |
| 10 | $1.07000 | $10.70 |
| 100 | $0.71340 | $71.34 |
| 500 | $0.56068 | $280.34 |
| 1,000 | $0.51152 | $511.52 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.44911 | $1,347.33 |
| 6,000 | $0.41769 | $2,506.14 |
| 9,000 | $0.40170 | $3,615.30 |
| 15,000 | $0.38372 | $5,755.80 |
| 21,000 | $0.37888 | $7,956.48 |

