Name: SIZF906DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.21 USD
Availability: OutOfStock

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SIZF906DT-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIZF906DT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIZF906DT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIZF906DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIZF906DT-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Montaje en superficie 8-PowerPair® (6x5)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.8mOhm a 15A, 10V, 1.17mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22nC a 4.5V, 92nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2000pF a 15V, 8200pF a 15V
Potencia - Máx.	38W (Tc), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PowerPair® (6x5)
Número de producto base	SIZF906