Name: SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.34 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SIZF4800LDT-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIZF4800LDT-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 80V 10A (Ta), 36A (Tc) 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Montaje en superficie PowerPAIR® 3x3FS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIZF4800LDT-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	19mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	950pF a 40V
Potencia - Máx.	4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	12-PowerPair™
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAIR® 3x3FS