Name: SIZF360DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF360DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.15 USD
Availability: OutOfStock

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SIZF360DT-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIZF360DT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIZF360DT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIZF360DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIZF360DT-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 23A 6POWERPAIR
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc) Montaje en superficie 6-PowerPair™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIZF360DT-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble), schottky
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.5mOhm a 10A, 10V, 1.9mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22nC a 10V, 62nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1100pF a 15V, 3150pF a 15V
Potencia - Máx.	3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	6-PowerPair™
Paquete del dispositivo del proveedor	6-PowerPair™
Número de producto base	SIZF360