


SISS52DN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS52DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 47.1H (Ta), 162H (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8SH |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISS52DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) +16V, -12V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2950 pF @ 15 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SH |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2mOhm a 20A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.82000 | $1.82 |
| 10 | $1.15600 | $11.56 |
| 100 | $0.77440 | $77.44 |
| 500 | $0.61062 | $305.31 |
| 1,000 | $0.55792 | $557.92 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.49102 | $1,473.06 |
| 6,000 | $0.45735 | $2,744.10 |
| 9,000 | $0.44021 | $3,961.89 |
| 15,000 | $0.42095 | $6,314.25 |
| 21,000 | $0.42062 | $8,833.02 |



