
SISH410DN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SISH410DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISH410DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISH410DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISH410DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 38 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 20 V 22A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8SH |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISH410DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600 pF @ 10 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SH |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm a 20A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.72000 | $1.72 |
| 10 | $1.09000 | $10.90 |
| 100 | $0.72800 | $72.80 |
| 500 | $0.57256 | $286.28 |
| 1,000 | $0.52256 | $522.56 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.45906 | $1,377.18 |
| 6,000 | $0.42711 | $2,562.66 |
| 9,000 | $0.41084 | $3,697.56 |
| 15,000 | $0.39256 | $5,888.40 |
| 21,000 | $0.38875 | $8,163.75 |





