Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.32 USD
Availability: OutOfStock

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SISF20DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISF20DN-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8SCD Doble
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	13mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1290pF a 30V
Potencia - Máx.	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8SCD Doble
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8SCD Doble
Número de producto base	SISF20