Name: SIS606BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS606BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.47 USD
Availability: InStock

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SIS606BDN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIS606BDN-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1470 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V	Número de producto base SIS606
Rds On (máx) @ Id, Vgs 17.4mOhm a 10A, 10V