Name: SIRA36DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA36DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.18 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SIRA36DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIRA36DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIRA36DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIRA36DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIRA36DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 40A (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm a 20A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +20V, -16V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2815 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SIRA36

Informar Error en la información del producto

Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

En stock: 2,896

Comprobar si hay stock entrante adicional

Cantidad

Todos los precios se expresan en USD

Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

SIRA36DP-T1-GE3