
SIRA12BDP-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIRA12BDP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) PowerPAK® SO-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIRA12BDP-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) +20V, -16V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1470 pF @ 15 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 38W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.3mOhm a 10A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM080NB03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4,894 | 1801-TSM080NB03CRRLGCT-ND | $1.22000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.21000 | $1.21 |
| 10 | $0.75800 | $7.58 |
| 100 | $0.49710 | $49.71 |
| 500 | $0.38504 | $192.52 |
| 1,000 | $0.34896 | $348.96 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.30312 | $909.36 |
| 6,000 | $0.28004 | $1,680.24 |
| 9,000 | $0.26829 | $2,414.61 |
| 15,000 | $0.25508 | $3,826.20 |
| 21,000 | $0.24726 | $5,192.46 |
| 30,000 | $0.23966 | $7,189.80 |


